產(chǎn)品詳情

致新代理商供應(yīng) G6020MC1D 內(nèi)存電源解決方案

特征
● 模式1/3/4的同步降壓轉(zhuǎn)換器（VBK1）
■ 超高效
■ VCC=5V N溝道MOSFET低壓側(cè)集成120mQ
■ VCC=5V N溝道MOSFET高壓側(cè)集成150mQ
■ 無(wú)電流檢測(cè)電阻器（無(wú)損ILIMIT）
■ 具有100ns負(fù)載階躍響應(yīng)的準(zhǔn)PWM輸入電壓范圍：3V至5.5V
■ 輸出電壓：
VBK1=2.5V，模式1（DDR4）
VBK1=1.8V，模式3/4（LPDDR4x/LPDDR5）
■ 連續(xù)輸出電流：1A
■ 內(nèi)部軟啟動(dòng)：1ms
■ 580kHz開(kāi)關(guān)頻率
■ 逐周期過(guò)電流保護(hù)
■ 鎖定輸出OVP和UVP保護(hù)
● 模式2下的25V/1A LDO（VBK1）
■ 輸入電壓范圍：3V至5.5V
■ 輸出電壓固定在2.5V
■ 連續(xù)輸出電流：1A
■ 內(nèi)部軟啟動(dòng)：1ms
■ 支持DDR4 VBK1要求
● 同步降壓轉(zhuǎn)換器（VBK2）
■ Utra高效
■ VCC=5V N溝道MOSFET低側(cè)集成8.6mQ
■ VCC=5V N溝道MOSFET高壓側(cè)集成22mQ
■ 無(wú)電流檢測(cè)電阻器（無(wú)損ILIMIT）
■ 100ns負(fù)載階躍響應(yīng)的準(zhǔn)PWM
■ 4.5V至26V蓄電池輸入范圍
■ 輸出電壓：
VBK2=1.2V，模式1/2（DDR4）
模式3時(shí)VBK2=1.115V（LPDDR4x）
VBK2=1.065V，模式4（LPDDR5）
■ 連續(xù)輸出電流：8A
■ 內(nèi)部軟啟動(dòng)：1.6ms
■ 600kHz開(kāi)關(guān)頻率
■ 逐周期過(guò)電流保護(hù)
■ 鎖定輸出OVP和UVP保護(hù)
● 0.6V/1.5A LDO（VLDO）
輸出電壓：
VLDO=（1/2）*VBK2在模式1/2（DDR4）
模式3下的VLDO=0.6V（LPDDR4x）
模式4下的VLDO=0.5V（LPDDR5）
■ 連續(xù)輸出電流：1.5A
■ 只需要10μF的陶瓷輸出電容
■ ＋VLDO的30mV精度
■ 內(nèi)置軟啟動(dòng)降低VLDOIN浪涌電流
■ 過(guò)電流保護(hù)
■ 過(guò)溫度保護(hù)
● 模式1/2的緩沖參考（VLDOREF）
■ 緩沖，低噪聲，+1010mA容量
■ 0.8%輸出精度
● 低靜態(tài)電流；150uA
● 電源良好指示燈
● 輸出放電功能
● 加電和斷電順序控制
● OT和UVLO保護(hù)的非閂鎖
● 18針3mm x 3mm AQFN封裝