產(chǎn)品詳情

APW8879B 電子元器件 ANPEC/茂達(dá) 封裝TQFN2x3-12 

高輸入電壓3.33V / 8A同步降壓變換器100mA LDO

一般的描述
APW8879B是一款8A同步降壓轉(zhuǎn)換器，集成25mΩ高側(cè)MOSFET和12mΩ低側(cè)MOSFET。采用恒定準(zhǔn)時(shí)控制架構(gòu)設(shè)計(jì)的APW8879B可以降低高電壓，以適應(yīng)IMPV8應(yīng)用的低壓芯片組。APW8879B配備了自動(dòng)PFM/PWM模式操作。在輕負(fù)載時(shí)，轉(zhuǎn)換器在PFM模式下工作，以減少開(kāi)關(guān)損耗并提供高效率。在大負(fù)荷下，轉(zhuǎn)換器工作在PWM模式，并在接近恒定的頻率下工作，以實(shí)現(xiàn)低噪聲要求。
APW8879B還配備了通電復(fù)位，軟啟動(dòng)和整體保護(hù)(欠壓，過(guò)壓，過(guò)溫，過(guò)流和限流)為一個(gè)單一的封裝。帶有250kHz時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器的充電泵電路使用VOUT作為電源，產(chǎn)生大約10~12V的直流電壓。
該器件采用TQFN 2x3-12封裝，提供了一個(gè)非常緊湊的系統(tǒng)解決方案，zui大限度地減少外部組件和PCB面積。

特性
工作范圍寬，從+5.5V到+24V輸入
電壓
VIN 4.5V ~ 4.9V上電復(fù)位監(jiān)測(cè)
范圍
內(nèi)置100uA低靜止電流
支持IOUT = 8A應(yīng)用
內(nèi)置PWM和PFM控制方案與COT
achitecture
內(nèi)置集成引導(dǎo)向前P-CH
場(chǎng)效應(yīng)晶體管
固定開(kāi)關(guān)頻率從700khz
固定3.33V VOUT REF電壓+0.6%
jing度
支持EN引腳超聲波模式選擇
支持內(nèi)置固定軟啟動(dòng)時(shí)間2.4ms
集成25mΩ n通道MOSFET高
邊金屬氧化物半導(dǎo)體
集成12mΩ n通道MOSFET低側(cè)
金屬氧化物半導(dǎo)體
內(nèi)置開(kāi)漏式POK功能和EN
控制
內(nèi)置3.3V / 100mA LDO和切換
場(chǎng)效應(yīng)晶體管
帶PWM輸出
UVP設(shè)置為VREF的70%，OVP設(shè)置為125%
VREF和熱停堆
內(nèi)置過(guò)流保護(hù)和電流限制
使用高側(cè)MOSFET RDS(on)和保護(hù)
低側(cè)MOSFET RDS(on)傳感
TQFN 2x3-12P倒裝芯片，無(wú)鉛和RoHS
兼容的

應(yīng)用程序
筆記本
圖形卡
主板