banner

產(chǎn)品搜索

庫(kù)存索引 : a b c d e f g h i j k l m n o p q r s t u v w x y z 1 2 3 4 5 6 7 8 9

您現(xiàn)在所在位置：首頁(yè) > 產(chǎn)品展示 > Silan/士蘭微-SVG086R0NSTR-120A 80V N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管

產(chǎn)品展示 / Products

Silan/士蘭微-SVG086R0NSTR-120A 80V N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管

Silan/士蘭微-SVG086R0NSTR-120A 80V N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
型號(hào)： SVG086RONSTR
廠 商： 中國(guó)
品牌/商標(biāo): Silan/士蘭微
產(chǎn)品類(lèi)別： 場(chǎng)效應(yīng)管/MOSFETs- 20-100V/低壓MOS管
聯(lián)系人: 顏先生/William
電話： 0755-82170220,21001680
 

產(chǎn)品詳情

SVG086RONSTR 電子元器件 Silan/士蘭微 封裝TO-263-2L 

120A、80V N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管

描述
SVG086RONT(S)(D)(L5) N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
采用士蘭的LVMOS工藝技術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及元胞結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品.
具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。
該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于不間斷電源及逆變器系統(tǒng)的電源管理領(lǐng)域。

特點(diǎn)
120A， 80V，RDS(on) (典型值) =5.0mS@VGS=10V
低柵極電荷量
低反向傳輸電容
開(kāi)關(guān)速度快
提升了dv/dt 能力