型號: | SC5510FHDFER |
廠 商: | 中國 |
品牌/商標(biāo): | SOUTHCHIP/南芯 |
產(chǎn)品類別: | 南芯/SOUTHCHIP- |
聯(lián)系人: | 顏先生/William |
電話: | 0755-82170220,21001680 |
SC5510FHDFER 電子元器件 SOUTHCHIP/南芯 封裝DFN2x2-8
集成MOSFET的高jing度鋰離子/聚合物電池保護(hù)芯片
介紹
SC5510FH是一種高度集成的單電芯鋰離子電池保護(hù)芯片?刂苾(nèi)部集成的MOSFET并提供電池保護(hù)功能,包括電池過壓保護(hù)及電池欠壓保護(hù),充放電過流保護(hù)和負(fù)載短路保護(hù)等。SC5510FH只需要很少的外部原件包括一個電容和一個電阻,可以有效地減少空間和成本,特別是有限的空間的電池應(yīng)用。SC5510HF特別集成了在不同溫度和電池電壓補(bǔ)償內(nèi)部MOSFET Rdson,有效保證高jing度電壓/電流檢測及延時電路,避免電池過充/過放。因此,電池是應(yīng)用在安全內(nèi)的并且使用壽命得到了有效延長。SC5510FH的待機(jī)電流極低以便于電池長時間存儲。集成的低rdson MOSFET確保電池可以提供zui大能量。
功能
單節(jié)鋰離子/聚合物電池保護(hù)芯片
成本低,易于設(shè)計,只需要一個電容和電阻
jing確的延時電路
充電過壓保護(hù)及釋放
放電過壓保護(hù)及釋放
充電過流保護(hù)
放電過流保護(hù)
負(fù)載短路保護(hù)
電池反充保護(hù)
低壓電池(<1.5V typ)禁止充電
集成超低Rdson MOSFET (9 mΩ,VM-GND)
低工作電流和關(guān)機(jī)電流(5uA/0.4uA)
熱關(guān)斷
采用2mm * 2mm DFN封裝
應(yīng)用
移動電源
單節(jié)鋰電池
可穿戴設(shè)備
移動設(shè)備