產品詳情

SVS5N65FJHD2 電子元器件 Silan/士蘭微 封裝TO-220FJH-3L 超結MOS功率管

SVS5N60F(D)(FJH)(FJ)D2 N 溝道增強型高壓功率MOSFET采用士蘭微電子超結MOS技術平臺制造，具有很低的傳導損耗和開關損耗。使得功率轉換器具有高效，高功率密度，提高熱行為。

此外，SVF5N60F(D)(FJH)(FJ)D2應用廣泛。如，適用于硬/軟開關拓撲。

主要特點
5A,650V, RDS(on)(typ.)=0.70W@VGS=10V 
創(chuàng)新高壓技術
低柵極電荷
較強的雪崩能力
較強的dv/dt能力
較高的峰值電流能力 

封裝：TO-252-2L
TO-220FJH-3L
TO-220F-3L