產(chǎn)品詳情

只做原裝 PT5619 普誠(chéng)90V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器

簡(jiǎn)述

PT5619在同一顆芯片中同時(shí)集成了三個(gè)90V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，特別適合于三相電機(jī)應(yīng)用中高速功率MOSFET和IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)。芯片內(nèi)置了死區(qū)時(shí)間和上下管直通保護(hù)，非常有效地阻止半橋電路損壞。為了防止因芯片工作在較低的電源電壓而對(duì)功率管產(chǎn)生損害，芯片內(nèi)部集成了欠壓鎖定電路來阻止該現(xiàn)象發(fā)生。先-進(jìn)的高壓BCD制程和內(nèi)置共模噪聲消除技術(shù)使得高邊驅(qū)動(dòng)器在高dv/dt噪聲環(huán)境能穩(wěn)定工作，并且使芯片具有寬范的負(fù)瞬態(tài)電壓忍受能力。為了延長(zhǎng)電池的使用時(shí)間，可以通過對(duì)ENB引腳的控制使芯片能進(jìn)入到低消耗電流的待機(jī)模式。

特征

● 內(nèi)部集成90V三相半橋高邊和低邊驅(qū)動(dòng)器

● 內(nèi)置了死區(qū)時(shí)間

● 內(nèi)置直通保護(hù)

● 高邊和低邊驅(qū)動(dòng)器內(nèi)置欠壓鎖定

● 兼容3.3V, 5V, 15V三種邏輯電平

● ENB引腳控制進(jìn)入到待機(jī)模式

● 驅(qū)動(dòng)器汲出/汲入電流: 1200mA/2000mA

● 死區(qū)時(shí)間: 0.5μs(typ.)

● 優(yōu)*秀dv/dt共模噪聲消除電路

● 具有負(fù)瞬態(tài)電壓忍受能力

● 低di/dt柵極驅(qū)動(dòng)特性. 更好的EMI性能

● 工作溫度范圍: -40°C至125°C

● 小尺寸封裝: TSSOP20L/24L, QFN24

應(yīng)用

● 電動(dòng)車，電動(dòng)工具應(yīng)用中三相馬達(dá)驅(qū)動(dòng)

● 其他電池供電產(chǎn)品中馬達(dá)驅(qū)動(dòng)

● 其他三相逆變器