產(chǎn)品詳情

P25D40H 超低功耗，4M/2M/1M/ 512k位串行標(biāo)準(zhǔn)和雙I/O閃存數(shù)據(jù)表

描述

P25D40H/20H/10H/05H是一款串行接口閃存器件，設(shè)計(jì)用于各種大批量基于消費(fèi)者的應(yīng)用，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中執(zhí)行。該設(shè)備靈活的擦除架構(gòu)及其頁(yè)面擦除粒度也非常適合數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，從而消除了對(duì)額外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的需求。

該設(shè)備的擦除塊大小已經(jīng)過(guò)優(yōu)化，以滿足當(dāng)今代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用程序的需求。通過(guò)優(yōu)化擦除塊的大小，可以更有效地使用內(nèi)存空間。由于某些代碼模塊和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)段必須單獨(dú)駐留在它們自己的擦除區(qū)域中，因此可以大大減少大扇區(qū)和大塊擦除閃存設(shè)備所浪費(fèi)和未使用的內(nèi)存空間。這種增加的內(nèi)存空間效率允許添加額外的代碼例程和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)段，同時(shí)仍然保持相同的總體設(shè)備密度。

該設(shè)備還包含一個(gè)額外的3*512字節(jié)安全寄存器，帶有OTP鎖(***次性可編程)，可用于諸如wei一設(shè)備序列化，系統(tǒng)級(jí)電子序列號(hào)(ESN)存儲(chǔ)，鎖定密鑰存儲(chǔ)等目的。

該器件專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于許多不同的系統(tǒng)，支持讀取，編程和擦除操作，電源電壓范圍為2.3V至3.6V。編程和擦除不需要單獨(dú)的電壓。

概述

一般

單機(jī)2.30V至3.60V電源

工業(yè)溫度范圍-40℃至85℃

SPI (Serial Peripheral Interface)支持模式0和模式3

單、雙IO模式

—4M/2M/1M/512K × 1bit

—2M/1M/512K/256K × 2位

靈活的代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)架構(gòu)

-統(tǒng)一的256字節(jié)頁(yè)面程序

-統(tǒng)一的256字節(jié)頁(yè)面擦除

-統(tǒng)一的4k字節(jié)扇區(qū)擦除

-統(tǒng)一32K/ 64k字節(jié)塊擦除

-全芯片擦除

硬件控制鎖定保護(hù)扇區(qū)通過(guò)WP引腳

一次性可編程(OTP)安全寄存器

- 3*512字節(jié)的安全寄存器與OTP鎖

每個(gè)設(shè)備的128位wei一ID

快速程序和擦除速度

- 2ms頁(yè)面程序時(shí)間

- 8ms頁(yè)擦除時(shí)間

- 8ms的4k字節(jié)扇區(qū)擦除時(shí)間

- 8ms 32k字節(jié)塊擦除時(shí)間

- 8ms 64k字節(jié)塊擦除時(shí)間

JEDEC標(biāo)準(zhǔn)制造商和設(shè)備ID讀取方法

超低功耗

- 0.6uA深度掉電電流

- 9uA備用電流

- 2.5mA主動(dòng)讀取電流33MHz

- 3.0mA活動(dòng)程序或擦除電流

fusionstorage高可靠性

- 100,000個(gè)程序/擦除周期

-數(shù)據(jù)保留20年

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)綠色包裝選項(xiàng)

- 8針SOP8 (150mil/208mil)

- 8地USON8 (3x2x0.55毫米)、(3x2x0.45毫米)、(3x4x0.55毫米)

- 8層WSON8 (6x5x0.75mm)

- 8針TSSOP8

——WLCSP

—SiP為KGD