型號: | APW8878B |
廠 商: | 臺灣 |
品牌/商標: | ANPEC/茂達 |
產(chǎn)品類別: | 集成電路/IC- AC/DC電源芯片 |
聯(lián)系人: | 顏先生/William |
電話: | 0755-82170220,21001680 |
APW8878B 電子元器件 ANPEC/茂達 封裝TQFN2x3-12
高輸入電壓5.1V / 8A同步降壓變換器100mA LDO
一般的描述
APW8878B是一款8A同步降壓轉換器,集成25mΩ高側MOSFET和12mΩ低側MOSFET。采用恒定準時控制架構設計的APW8878B可以降低高壓,以適應IMPV8應用的低壓芯片組。APW8878B配備了自動PFM/PWM模式操作。在輕負載時,轉換器在PFM模式下工作,以減少開關損耗并提供高效率。在大負荷下,轉換器工作在PWM模式,并在接近恒定的頻率下工作,以實現(xiàn)低噪聲要求。
APW8878B還配備了通電復位,軟啟動和整體保護(欠壓,過壓,過溫,過流和限流)為一個單一的封裝。
該器件采用TQFN 2x3-12封裝,提供了一個非常緊湊的系統(tǒng)解決方案,zui大限度地減少外部組件和PCB面積。
特性
工作范圍寬,從+5.5V到+24V輸入
電壓
VIN 4.5V ~ 4.9V上電復位監(jiān)測
范圍
內置100uA低靜止電流
支持IOUT = 8A應用
內置PWM和PFM控制方案與COT
achitecture
內置集成引導向前P-CH MOSFET
固定開關頻率從700khz
固定5.1V VOUT REF電壓+0.6%jing度
支持EN引腳超聲波模式選擇
支持內置固定軟啟動時間2.4ms
集成25mΩ n通道MOSFET高
邊金屬氧化物半導體
集成12mΩ n通道MOSFET低
邊金屬氧化物半導體
內置開漏式POK功能和EN
控制
內置5V / 100mA LDO和切換MOSFET
帶PWM輸出
UVP設置為VREF的70%,OVP設置為125%
VREF和熱停堆
內置過流保護和電流限制
使用高側MOSFET RDS(on)和保護
低側MOSFET RDS(on)傳感
TQFN 2x3-12P倒裝芯片,無鉛和RoHS
兼容的
應用程序
筆記本
圖形卡
主板