產(chǎn)品詳情

APW8861 電子元器件 ANPEC/茂達 封裝TQFN4x4-32 

Ddr3和ddr4同步降壓變換器1.5a ldo

一般的描述
APW8861集成了一個同步降壓PWM變換器來生成VDDQ，一個源沉LDO線性調(diào)節(jié)器來生成VTT。它提供了zui低的總解決方案成本，在系統(tǒng)的空間是一個溢價。
APW8861在PFM或PWM模式下提供出色的瞬態(tài)響應(yīng)和準(zhǔn)確的直流電壓輸出。在脈沖頻率模式(PFM)， APW8861提供非常高的效率輕到重負(fù)載負(fù)載調(diào)制開關(guān)頻率。在TQFN-32封裝上，強制PWM模式幾乎在恒定頻率下工作，以滿足低噪聲要求。
APW8861配備了jing確的限流，輸出欠壓和輸出過壓保護。上電-復(fù)位功能監(jiān)控VCC上的電壓，防止上電過程中的錯誤操作。
LDO的設(shè)計目的是為DDR-SDRAM終端提供具有雙向輸出電流的穩(wěn)壓電壓。該器件集成了兩個功率晶體管，源電流和匯聚電流可達1.5A。它還包含了限流和熱停機保護。
LDO的輸出電壓跟蹤VREF引腳的電壓。內(nèi)部電阻分壓器用于為VTTREF和VTT voltage提供VREF的一半電壓。VTT的輸出電壓只需要20mF的陶瓷輸出電容來穩(wěn)定和快速的瞬態(tài)響應(yīng)。S3
S5引腳為VTT (S3狀態(tài))提供睡眠狀態(tài)，為設(shè)備提供掛起狀態(tài)(S4/S5狀態(tài))，當(dāng)S5和S3都被拉低時，設(shè)備為VTT和VTTREF提供軟關(guān)。

特性
Buck控制器(VDDQ)
高輸入電壓范圍4.5V ~ 26V輸入
權(quán)力
提供可調(diào)輸出電壓0.75V到
3.3 v
集成MOSFETDrivers和Bootstrap Forward
P-CHMOSFET
低靜止電流(200uA)
優(yōu)異的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)
PFM模式增加輕載效率
恒準(zhǔn)時控制器方案
- PWM開關(guān)頻率補償
模式
-可調(diào)開關(guān)頻率從400kHz到
550kHz PWM模式，直流輸出電流
S3和S5引腳控制S0、S3或S4/中的設(shè)備
S5狀態(tài)
電力良好監(jiān)測
70%欠壓保護(UVP)
125%過電壓保護(OVP)
可調(diào)限流保護
-使用低側(cè)MOSFET的RDS(ON)
TQFN-32 4mmx4mm薄封裝
無鉛產(chǎn)品(符合RoHS標(biāo)準(zhǔn))
+1.5A LDO部分(VTT)
引信和下沉電流可達1.5A
輸出電壓的快速瞬態(tài)響應(yīng)
輸出陶瓷電容至少支持10mF
MLCC
VTT和VTTREF跟蹤在一半的VDDQSNS
內(nèi)部的分頻器
+20mVjing度的VTT和VTTREF
獨立過電流限制(OCL)
熱停機保護

應(yīng)用程序
DDR3和DDR4內(nèi)存電源
SSTL-2 SSTL-18和HSTL終止