產(chǎn)品詳情

APW8868C 集成電路(IC) ANPEC/茂達 封裝TQFN3x3-20 

Ddr2和ddr3 / ddr3l同步降壓kong制器1.5a ldo支持低智商

一般的描述
APW8868C集成了同步降壓PWM kong制器產(chǎn)生VDDQ，源沉LDO線性調節(jié)器產(chǎn)生VTT。它提供了zui低的總解決方案成本，在系統(tǒng)的空間是一個溢價。
APW8868C在PFM或PWM模式下提供出色的瞬態(tài)響應和準確的直流電壓輸出。在脈沖頻率模式(PFM)， APW8868C提供非常高的效率在輕到重負載負載調制開關頻率。在TQFN-20封裝上，強制PWM模式幾乎在恒定頻率下工作，以滿足低噪聲要求。
APW8868C配有jing確的限流、輸出欠壓和輸出過壓保護。上電-復位功能監(jiān)kong VCC上的電壓，防止上電過程中的錯誤操作。
LDO的設計目的是為DDR-SDRAM終端提供具有雙向輸出電流的穩(wěn)壓電壓。該器件集成了兩個功率晶體管，以源電流或匯聚電流高達1.5A。它還集成了限流和熱停機保護。
LDO的輸出電壓跟蹤VREF引腳的電壓。內部電阻分壓器用于為VTTREF和VTT voltage提供VREF的一半電壓。VTT的輸出電壓只需要20mF的陶瓷輸出電容來穩(wěn)定和快速的瞬態(tài)響應。S3和S5引腳為VTT (S3狀態(tài))提供睡眠狀態(tài)，為設備提供掛起狀態(tài)(S4/S5狀態(tài))，當S5和S3都被拉低時，設備為VTT和VTTREF提供軟關。

特性
Buck kong制器(VDDQ)
高輸入電壓3V ~ 28V輸入
權力
提供可調輸出電壓0.75V到
5.5V±1% jing度超過溫度
集成MOSFET驅動器和引導向前P-CH MOSFET
低靜止電流(200mA)
優(yōu)秀的線路和負載瞬態(tài)響應
PFM模式增加輕載效率
恒準時kong制器方案
- PWM開關頻率補償
模式
-可調開關頻率從400kHz到
550kHz PWM模式，直流輸出電流
S3和S5引腳kong制S0、S3或S4/中的設備
S5狀態(tài)
電力良好監(jiān)測
70%欠壓保護(UVP)
125%過電壓保護(OVP)
可調限流保護
-使用低側MOSFET的RDS(ON)
TQFN-20 3mmx3mm薄封裝
無鉛產(chǎn)品(符合RoHS標準)
±1.5A LDO切片(VTT)
源電流或下沉電流可達1.5A
輸出電壓的快速瞬態(tài)響應
輸出陶瓷電容至少支持10mF
MLCC
VTT和VTTREF跟蹤在一半的VDDQSNS
內部的分頻器
±20mV jing度的VTT和VTTREF
獨立過電流限制(OCL)
熱停機保護

應用程序
DDR2和DDR3/DDR3L內存電源
SSTL-2 SSTL-18和HSTL終止