產(chǎn)品詳情

APW8868B 電子元器件 ANPEC/茂達(dá) 封裝TQFN3x3-20 

Ddr2和ddr3 / ddr3l同步降壓kong制器1.5a ldo支持低智商和下垂

特性概述
apw8868b集成了同步降壓PWM kong制器產(chǎn)生VDDQ，源沉LDO線性調(diào)節(jié)器產(chǎn)生VTT。它提供了zui低的總解決方案成本，在系統(tǒng)的空間是一個(gè)溢價(jià)。
APW8868B在PFM或PWM模式下提供出色的瞬態(tài)響應(yīng)和準(zhǔn)確的直流電壓輸出。在脈沖頻率模式(PFM)中，APW8868B通過(guò)負(fù)載調(diào)制開(kāi)關(guān)頻率提供非常高的效率。在TQFN-20封裝上，強(qiáng)制PWM模式幾乎在恒定頻率下工作，以滿足低噪聲要求。
APW8868B配有jing確的限流、輸出欠壓和輸出過(guò)壓保護(hù)。上電-復(fù)位功能監(jiān)kong VCC上的電壓，防止上電過(guò)程中的錯(cuò)誤操作。
LDO的設(shè)計(jì)目的是為DDR-SDRAM終端提供具有雙向輸出電流的穩(wěn)壓電壓。該器件集成了兩個(gè)功率晶體管，以源電流或匯聚電流高達(dá)1.5A。它還集成了限流和熱停機(jī)保護(hù)。
LDO的輸出電壓跟蹤VREF引腳的電壓。內(nèi)部電阻分壓器用于為VTTREF和VTT voltage提供VREF的一半電壓。VTT的輸出電壓只需要20mF的陶瓷輸出電容來(lái)穩(wěn)定和快速的瞬態(tài)響應(yīng)。S3和S5引腳為VTT (S3狀態(tài))提供睡眠狀態(tài)，為設(shè)備提供掛起狀態(tài)(S4/S5狀態(tài))，當(dāng)S5和S3都被拉低時(shí)，設(shè)備為VTT和VTTREF提供軟關(guān)。

特性
Buck kong制器(VDDQ)
高輸入電壓3V ~ 28V輸入
權(quán)力
提供可調(diào)輸出電壓從0.675V到
5.5V +1% jing度超過(guò)溫度
集成MOSFETDrivers和Bootstrap Forward
P-CHMOSFET
低靜止電流(200mA)
優(yōu)秀的線路和負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)
PFM模式增加輕載效率
恒準(zhǔn)時(shí)kong制器方案
- PWM開(kāi)關(guān)頻率補(bǔ)償
模式
-可調(diào)開(kāi)關(guān)頻率從400kHz到
550kHz PWM模式，直流輸出電流
S3和S5引腳kong制S0、S3或S4/中的設(shè)備
S5狀態(tài)
電力良好監(jiān)測(cè)
70%欠壓保護(hù)(UVP)
125%過(guò)電壓保護(hù)(OVP)
可調(diào)限流保護(hù)
-使用低側(cè)MOSFET的RDS(ON)
TQFN-20 3mmx3mm薄封裝
無(wú)鉛產(chǎn)品(符合RoHS標(biāo)準(zhǔn))
+1.5A LDO部分(VTT)
源電流或下沉電流可達(dá)1.5A
輸出電壓的快速瞬態(tài)響應(yīng)
輸出陶瓷電容至少支持10mF
MLCC
VTT和VTTREF跟蹤在一半的VDDQSNS
內(nèi)部的分頻器
+20mV jing度的VTT和VTTREF
獨(dú)立過(guò)電流限制(OCL)
熱停機(jī)保護(hù)

應(yīng)用程序
DDR2和DDR3/DDR3L內(nèi)存電源
SSTL-2 SSTL-18和HSTL終止