產(chǎn)品詳情

一般的描述
MX30LFxG18AC是2Gb/4Gb SLC NAND閃存設(shè)備。它的標(biāo)準(zhǔn)NAND閃存功能
和可靠的質(zhì)量，典型的P/E周期100K(帶主機ECC)，這使它zui適合嵌入式
系統(tǒng)代碼和數(shù)據(jù)存儲。
產(chǎn)品系列要求每(512+16)B 4位ECC。
對于讀取和程序操作，MX30LFxG18AC通常以2,112字節(jié)的頁面訪問。
MX30LFxG18AC數(shù)組組織為數(shù)千塊，由64頁(2048 +64)組成。
兩個NAND字符串結(jié)構(gòu)中的字節(jié)，每個字符串中有32個串行連接的單元。每一頁都有一個附加頁
64字節(jié)用于ECC和其他目的。該設(shè)備有一個2,112字節(jié)的片上緩沖區(qū)用于數(shù)據(jù)加載和
訪問。
MX30LFxG18AC的Cache Read Operation使di一個字節(jié)讀訪問時延為25us，順序讀為20ns，將下一個順序頁的延從tR縮短為tRCBSY。
MX30LFxG18AC功耗為30mA在所有操作模式(讀/程序/擦除)，
備機模式為50uA。

特性

2G/ 4g位SLC NAND Flash

總線:×8

頁大小:(2048+64)字節(jié)，

塊大小:(128K+4K)字節(jié)，

平面尺寸:

1024塊/平面x 2為2Gb

2048塊/平面x 2為4Gb

ONFI 1.0兼容

多路復(fù)用命令/地址/數(shù)據(jù)

用戶冗余

64字節(jié)附加到每一頁

快讀訪問

數(shù)組注冊的延遲:25us

順序讀取:20 ns

緩存讀取支持

頁面程序操作

頁面編程時間:300us(一般)

緩存項目支持

塊擦除操作

塊擦除時間:1ms(典型)

單電壓操作:

Vcc: 2.7 ~ 3.6v

低功耗

30 ma Max。

有功電流(讀/程序/擦除)

睡眠模式

50uA(zui大)待機電流

硬件數(shù)據(jù)保護:WP# pin

塊保護

PT(保護)引腳:通電時高電平有源，

這可以保護整個芯片。別針有一個

內(nèi)部弱拉下來。

臨時保護/ un-protection函數(shù)

(通過PT引腳使能)

堅實的保護

(通過PT引腳使能)

設(shè)備狀態(tài)指標(biāo)

準(zhǔn)備好了(R / B #)銷/忙

狀態(tài)寄存器

芯片啟用不關(guān)心

簡化系統(tǒng)接口

w一ID讀取支持(ONFI)

安全的OTP支持

高可靠性

續(xù)航:典型100K周期(4位ECC

/(512 + 16)字節(jié))

數(shù)據(jù)保留:10年

寬溫度工作范圍

40°C + 85°C

包:

1) 48-TSOP(I) (12mm x 20mm)

2) 63球9mmx11mm VFBGA

所有包裝的設(shè)備都符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

無鹵。