產(chǎn)品詳情

SVSP7N70FD2 電子元器件 Silan/士蘭微 封裝TO-220F-3L 超結(jié)MOS功率管

SVSP7N70F(D)(S)(FJD)D2 N溝道增強型高壓功率MOSFET采用士蘭微電子超結(jié)MOS技術(shù)平臺制造，具有很低的傳導損耗和開關(guān)損耗。使得功率轉(zhuǎn)換器具有高效，高功率密度等特性，提高熱行為。

此外，SVSP7N70F(D)(S)(FJD)D2應用廣泛。如適用于硬/軟開關(guān)拓撲，照明，適配器等領(lǐng)域。

主要特點
7A,700V, RDS(on)(typ.)=0.52W@VGS=10V 
創(chuàng)新高壓技術(shù)
低柵極電荷
較強的雪崩能力
較強的dv/dt能力
較高的峰值電流能力

封裝：TO-220FJD-3L
TO-263-2L
TO-252-2L
TO-220F-3L