| 型號： | SVS5N60FJD2 |
| 廠 商： | 中國 |
| 品牌/商標: | Silan/士蘭微 |
| 產(chǎn)品類別： | 場效應(yīng)管/MOSFETs- 20-100V/低壓MOS管 |
| 聯(lián)系人: | 顏先生/William |
| 電話： | 0755-82170220,21001680 |
SVS5N60FJD2 電子元器件 Silan/士蘭微 封裝TO-252-2L 超結(jié)MOS功率管
SVS5N60F(D)(FJH)(FJ)D2
SVS5N60F(D)(FJH)(FJ)D2 N 溝道增強型高壓功率MOSFET采用士蘭微電子超結(jié)MOS技術(shù)平臺制造，具有很低的傳導損耗和開關(guān)損耗。使得功率轉(zhuǎn)換器具有高效，高功率密度，提高熱行為。
此外，SVF5N60F(D)(FJH)(FJ)D2應(yīng)用廣泛。如，適用于硬/軟開關(guān)拓撲。
主要特點
5A,600V, RDS(on)(typ.)=0.70W@VGS=10V
創(chuàng)新高壓技術(shù)
低柵極電荷
較強的雪崩能力
較強的dv/dt能力
較高的峰值電流能力
封裝：TO-252-2L
TO-220FJH-3L
TO-220FJ-3L
TO-220-3L
