產(chǎn)品詳情

EM78P372ND14J 電子元器件 ELAN臺(tái)灣義隆 封裝DIP-14 

綜述
EM78P372N是采用低功耗高速CMOS工藝設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)的8位微控制器。該控制器有片內(nèi)2KX13位一次性編程
ROM(OTP-ROM)。它提供一個(gè)保護(hù)位用以保護(hù)用戶在OTP存儲(chǔ)器內(nèi)的程序不被讀取，三個(gè)代碼選項(xiàng)以滿足
用戶的需要。
基于增強(qiáng)的OTP-ROM特性，EM78P372N可方便地開(kāi)發(fā)和校驗(yàn)用戶代碼，另外，使用開(kāi)發(fā)與編程工具，使此
OTP代碼更新更加簡(jiǎn)單和有效，用戶可利用義隆燒錄器很容易地?zé)�錄其開(kāi)發(fā)代碼。

產(chǎn)品特性
CPU 配置
2K′13 位片內(nèi) ROM
80′8位片內(nèi)寄存器 (SRAM)
8級(jí)堆棧用于子程序嵌套
5V/4 MHz 工作條件下耗電流低于 1.5 mA
3V/32kHz 工作條件下耗電流典型值為 15 mA
休眠模式下耗電流典型值為 2 mA
I/O 端口配置
3 組雙向I/O端口: P5, P6, P7
18 I/O 引腳
喚醒端口: P5
8 個(gè)可編程下拉I/O引腳(P50 ~ P57)
16 個(gè)可編程上拉I/O引腳(P50 ~ P57) (P60 ~ P67)
8 個(gè)可編程漏極開(kāi)路I/O引腳(P60 ~ P67)
14 個(gè)可編程高灌I/O引腳(P51 ~ P54, P56 ~ P57)
(P60 ~ P67)
外部中斷: P60
工作電壓范圍:
2.1V~5.5V at 0°C~70°C (商規(guī))
2.3V~5.5V at -40°C~85°C (工規(guī))
工作頻率范圍(基于2個(gè)時(shí)鐘周期):
晶振模式: DC ~ 16 MHz, 4.5V;
DC ~ 8 MHz, 3V; DC ~ 4 MHz, 2.1V
ERC模式: DC ~ 2 MHz, 2.1V;
IRC 模式
振蕩模式: 16 MHz, 4 MHz, 1 MHz, 8 MHz
以上四個(gè)主頻都可通過(guò)編程設(shè)置ICE300N仿真器的六個(gè)
校正位來(lái)校正，OTP可由義隆燒錄器自動(dòng)校正。
快速啟動(dòng)時(shí)間，在XT模式(VDD: 5V, 晶振: 4 MHz, C1/C2:
15pF)下只需0.8ms, 在IRC模式(VDD: 5V, IRC: 4 MHz)下
只需10ms。
外設(shè)配置
8位實(shí)時(shí)時(shí)鐘/計(jì)數(shù)器 (TCC)，其時(shí)鐘源、邊沿觸發(fā)和溢
出中斷可選
4級(jí)可編程電壓檢測(cè)(LVD) : 4.5V, 4.0V, 3.3V, 2.2V
上電復(fù)位和可編程電壓復(fù)位 POR:1.8V(默認(rèn)),
(LVR) : 4.0V, 3.5V, 2.7V
8通道解析度為12位的模數(shù)轉(zhuǎn)換器
一對(duì)比較器或OP(偏移電壓: 小于10mV)
兩個(gè)脈寬調(diào)制器 (PWM)，8位分辨率
10個(gè)可用中斷
TCC 溢出中斷
輸入端口狀態(tài)改變中斷（可喚醒休眠模式）
外部中斷
ADC 轉(zhuǎn)換完成中斷
比較器狀態(tài)改變中斷
低電壓檢測(cè)(LVD) 中斷
PWM1~2 周期匹配中斷
PWM1~2 占空比匹配中斷
特性:
可編程的自由運(yùn)行看門(mén)狗定時(shí)器 (4.5 ms : 18 ms)
休眠省電模式
上電電壓偵測(cè)器
高抗EFT特性 (4MHz及以下抗EFT性能更好)
封裝類型:
10-pin MSOP 118mil : EM78P372NMS10
14-pin DIP 300mil : EM78P372ND14
14-pin SOP 150mil : EM78P372NSO14
16-pin SOP 150mil : EM78P372NSO16A
18-pin DIP 300mil : EM78P372ND18
18-pin SOP 300mil : EM78P372NSO18
20-pin DIP 300mil : EM78P372ND20
20-pin SOP 300mil : EM78P372NSO20
20-pin SSOP 209mil : EM78P372NSS20
16-pin QFN 3′3′0.8mm : EM78P372NQN16