產(chǎn)品詳情

SCTWA90N65G2V-4 電子元器件 ST 封裝TO-247-4 碳化硅功率MOSFET

描述
這種碳化硅功率MOSFET器件是使用ST開發(fā)的
先進(jìn)和創(chuàng)新的第二代SiC MOSFET技術(shù)。該設(shè)備
具有非常低的單位面積通電阻和非常好的開關(guān)
的性能。開關(guān)損耗的變化幾乎與結(jié)無關(guān)
溫度。

特性
高速開關(guān)性能
非常高的工作結(jié)溫度能力(TJ = 200°C)
非�？焖俸头�(wěn)健的內(nèi)稟體二極管
極低的柵極電荷和輸入電容

應(yīng)用程序
可再生能源系統(tǒng)的電源供應(yīng)
高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器
充電站