EEPROM提高耐寫性能的關鍵技術是意法半導體先進的CMOSF8H 0.15 μm制程。此次推出的新產(chǎn)品包括工業(yè)級和汽車級EEPROM，在25°C條件下，耐寫性能為每字節(jié)400萬次；在150°C條件下，耐寫性能為每字節(jié)40萬次�？偰蛯懶阅転�10億次，數(shù)據(jù)保存期限為200年（55°C）。
增強的耐寫性能和延長的數(shù)據(jù)保存期限有助于簡化系統(tǒng)設計，可保存需要經(jīng)常更新的數(shù)據(jù)以及變化較慢的參數(shù)，避免使用為延長標準EEPROM壽命而耗費存儲容量的解決方案。此外，總耐寫性能使其可用于汽車或醫(yī)療等因為環(huán)境條件變化而需要經(jīng)常更新重要參數(shù)的應用（數(shù)據(jù)記錄）。
