場效應晶體管(FET)簡稱場效應管，它屬于電壓控制型半導體器件，主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

      場效應管分結型、絕緣柵型兩大類。結型場效應管（JFET）因有兩個PN結而得名，絕緣柵型場效應管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應管中，應用最為廣泛的是MOS場效應管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導體場效應管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應管，以及最近剛問世的πMOS場效應管、VMOS功率模塊等。

      按溝道半導體材料的不同，結型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種（見下圖1）。若按導電方式來劃分，場效應管又可分成耗盡型與增強型。結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。

      MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區(qū)域的載流子，形成導電溝道。耗盡型則是指，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉向截止。

      MOS場效應管比較“嬌氣”。這是由于它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。因此出廠時各管腳都絞合在一起，或裝在金屬箔內，使G極與S極呈等電位，防止積累靜電荷。管子不用時，全部引線也應短接。在測量時應格外小心，并采取相應的防靜電感措施（MOS管存放方式）。

 

 

2．MOS管判定電極

      將萬用表撥于R×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大，證明此腳就是柵極G。交換表筆重測量，S-D之間的電阻值應為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是S極。日本生產的3SK系列產品，S極與管殼接通，據(jù)此很容易確定S極。

(1)、從場效應管的結構上看，其源極和漏極是對稱的，因此源極和漏極可以互換。但有些場效應管在制造時已將襯底引線與源極連在一起，這種場效應管的源極和漏極就不能互換了。

(2)、場效應管各極間電壓的極性應正確接入，結型場效應管的柵-源電壓v_GS的極性不能接反。

(3)、當MOS管的襯底引線單獨引出時，應將其接到電路中的電位點（對N溝道MOS管而言）或電位點（對P溝道MOS管而言），以保證溝道與襯底間的PN結處于反向偏置，使襯底與溝道及各電極隔離。

(4)、MOS管的柵極是絕緣的，感應電荷不易泄放，而且絕緣層很薄，極易擊穿。所以柵極不能開路，存放時應將各電極短路。焊接時，電烙鐵必須可靠接地，或者斷電利用烙鐵余熱焊接，并注意對交流電場的屏蔽。

(5)、選擇MOS管三個重要參數(shù)：Vgs /  Id  /  Rds, 其中Rds越小功耗越小。